Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FCP067N65S3
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FCP067N65S3-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 650V 44A TO220
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 650 V 44A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-220
Imbentaryo:
2031 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12837318
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FCP067N65S3 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tube
Serye
SuperFET® III
Katayuan ng Produkto
Not For New Designs
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
650 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
44A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4.4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3090 pF @ 400 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
312W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
FCP067
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
SIHP065N60E-GE3
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
952
DiGi BAHAGI NG NUMERO
SIHP065N60E-GE3-DG
YUNIT PRESYO
3.49
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
HUFA75842P3
MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
FDD4685-F085
MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
FCD380N60E
MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK
