Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FCP130N60
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FCP130N60-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220-3
Imbentaryo:
556 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12851115
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FCP130N60 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tube
Serye
SuperFET® II
Katayuan ng Produkto
Not For New Designs
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
28A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3590 pF @ 380 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
278W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
FCP130
Datasheet at Dokumento
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
800
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
SIHP28N65E-GE3
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
SIHP28N65E-GE3-DG
YUNIT PRESYO
2.49
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STP33N60M2
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
727
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STP33N60M2-DG
YUNIT PRESYO
2.08
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDC796N_F077
MOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6
FCD600N60Z
MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
IRLM110ATF
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223-4
