Bahay
Mga Produkto
Mga Tagagawa
Tungkol sa DiGi
Makipag-ugnayan sa Amin
Mga Blog at Post
RFQ/Sipi
Filipino
Mag-sign in
Piling Wika
Kasalukuyang wika ng iyong pinili:
Filipino
Palitan:
English
Europa
Reyno Unido
Pransiya
Espanya
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Alemanya
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Taga ruso
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Griyego
Croatia
Ang Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asya / Pasipiko
Tsina
Ang Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos na ba
Pilipino
Malaysia
Korea
Hapon
HongKong
TaiWan
Ang Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Aprika,India at Gitnang Silangan
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
Timog Aprika
Ehipto
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
Timog Amerika / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Hilagang Amerika
Estados Unidos
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Tungkol sa DiGi
Tungkol Sa Amin
Tungkol Sa Amin
Ang Aming Mga Sertipikasyon
Panimula
Bakit DiGi
Patakaran
Patakaran sa Kalidad
Mga Tuntunin ng Paggamit
Pagsunod sa RoHS
Proseso ng Pagbabalik
Mga Yaman
Mga Kategorya ng Produkto
Mga Tagagawa
Mga Blog at Post
Mga Serbisyo
Garantiya ng Kalidad
Paraan ng Pagbabayad
Pandaigdigang Padala
Mga Bayarin sa Pagpapadala
Mga Madalas Itanong
Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FCP165N65S3
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FCP165N65S3-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-220-3
Imbentaryo:
RFQ Online
12848638
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
*
Kumpanya
*
Pangalan ng Contact
*
Telepono
*
E-mail
Address ng Paghahatid
Mensahe
(
*
) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FCP165N65S3 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tube
Serye
SuperFET® III
Katayuan ng Produkto
Not For New Designs
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
650 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
19A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
154W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
FCP165
Datasheet at Dokumento
Datasheet
FCP165N65S3
Mga Datasheet
FCP165N65S3
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FCP165N65S3OS
FCP165N65S3-DG
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
SPP24N60C3XKSA1
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
129
DiGi BAHAGI NG NUMERO
SPP24N60C3XKSA1-DG
YUNIT PRESYO
2.95
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IPP60R180P7XKSA1
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IPP60R180P7XKSA1-DG
YUNIT PRESYO
1.05
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STP24NM60N
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
486
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STP24NM60N-DG
YUNIT PRESYO
1.39
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
SIHP22N60EL-GE3
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
SIHP22N60EL-GE3-DG
YUNIT PRESYO
1.92
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
FCP165N65S3R0
TAGAPAGGAWA
Fairchild Semiconductor
DAMI NA BUMILI
2115
DiGi BAHAGI NG NUMERO
FCP165N65S3R0-DG
YUNIT PRESYO
2.00
URI ng Palitan
Parametric Equivalent
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FQA90N15
MOSFET N-CH 150V 90A TO3PN
AON4420
MOSFET N-CH 30V 10A 8DFN
NTVS3141PT2G
MOSFET P-CH 20V CSP-6
NDS9435A
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC