Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FCP650N80Z
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FCP650N80Z-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 162W (Tc) Through Hole TO-220
Imbentaryo:
12847028
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FCP650N80Z Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
SuperFET® II
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
800 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
10A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 800µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1565 pF @ 100 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
162W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
FCP650
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
2156-FCP650N80Z
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
FCP400N80Z
TAGAPAGGAWA
onsemi
DAMI NA BUMILI
850
DiGi BAHAGI NG NUMERO
FCP400N80Z-DG
YUNIT PRESYO
1.50
URI ng Palitan
MFR Recommended
BILANG NG BAHAGI
IXTP10N60P
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXTP10N60P-DG
YUNIT PRESYO
2.26
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FCPF190N65S3L1
MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3
FQT1N80TF-WS
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
HUFA76419S3S
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
