Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDA2712
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDA2712-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 250 V 64A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-3PN
Imbentaryo:
12839735
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDA2712 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
UltraFET™
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
250 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
64A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
129 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10175 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
357W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-3PN
Package / Kaso
TO-3P-3, SC-65-3
Base Numero ng Produkto
FDA27
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
30
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IXTQ76N25T
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
2
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXTQ76N25T-DG
YUNIT PRESYO
3.05
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IXFQ94N30P3
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXFQ94N30P3-DG
YUNIT PRESYO
6.53
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IRFP4332PBF
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
471
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRFP4332PBF-DG
YUNIT PRESYO
2.48
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDB5800_F085
MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
FDD6N50TF
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
FDB8030L
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
