Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDA62N28
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDA62N28-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 280V 62A TO3PN
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 280 V 62A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3PN
Imbentaryo:
12847255
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDA62N28 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
UniFET™
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
280 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
62A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
51mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4630 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
500W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-3PN
Package / Kaso
TO-3P-3, SC-65-3
Base Numero ng Produkto
FDA62
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
30
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IXTQ50N25T
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
242
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXTQ50N25T-DG
YUNIT PRESYO
3.10
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
2SK1317-E
TAGAPAGGAWA
Renesas Electronics Corporation
DAMI NA BUMILI
5608
DiGi BAHAGI NG NUMERO
2SK1317-E-DG
YUNIT PRESYO
3.29
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDZ371PZ
MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
HUF76429P3
MOSFET N-CH 60V 47A TO220-3
FQB5N90TM
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK