FDB082N15A
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FDB082N15A

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FDB082N15A-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 150 V 117A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Imbentaryo:

508 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12845906
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

FDB082N15A Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
PowerTrench®
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
150 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
117A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6040 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
294W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-263 (D2PAK)
Package / Kaso
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Numero ng Produkto
FDB082

Datasheet at Dokumento

Datasheet
FDB082N15A
Mga Datasheet
FDB082N15A

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan
FDB082N15A-DG
FDB082N15AFSCT
FDB082N15AFSDKR
FDB082N15AFSTR
Standard na Pakete
800

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
IXTA140N12T2
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXTA140N12T2-DG
YUNIT PRESYO
3.93
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IPB072N15N3GATMA1
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
4910
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IPB072N15N3GATMA1-DG
YUNIT PRESYO
2.99
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IPB108N15N3GATMA1
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
3546
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IPB108N15N3GATMA1-DG
YUNIT PRESYO
2.29
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Kaugnay na mga Produkto
onsemi

FQD8P10TM_F080

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOT11N70

MOSFET N-CH 700V 11A TO220

onsemi

NTMJS1D2N04CLTWG

MOSFET N-CH 40V 41A/237A 8LFPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOT9N50

MOSFET N-CH 500V 9A TO220