Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDB13AN06A0
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDB13AN06A0-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 60 V 10.9A (Ta), 62A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Imbentaryo:
3920 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12839248
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDB13AN06A0 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
PowerTrench®
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
60 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
10.9A (Ta), 62A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
6V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
115W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-263 (D2PAK)
Package / Kaso
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Numero ng Produkto
FDB13AN06
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FDB13AN06A0-DG
FDB13AN06A0CT
FDB13AN06A0TR
FDB13AN06A0DKR
Standard na Pakete
800
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FQPF630
MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F
FQD5N20LTF
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
FDPF4D5N10C
MOSFET N-CH 100V 128A TO220F
