Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDB2670
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDB2670-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 200 V 19A (Ta) 93W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Imbentaryo:
12840090
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDB2670 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
PowerTrench®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
200 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
19A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1320 pF @ 100 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
93W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-65°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-263 (D2PAK)
Package / Kaso
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Numero ng Produkto
FDB267
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
800
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STB30NF20
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STB30NF20-DG
YUNIT PRESYO
0.91
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STB19NF20
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STB19NF20-DG
YUNIT PRESYO
0.62
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FQPF7N40
MOSFET N-CH 400V 4.6A TO220F
MVSF2N02ELT1G
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
NTD5865NLT4G
MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
