Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDB33N25TM
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDB33N25TM-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 250 V 33A (Tc) 235W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Imbentaryo:
12850027
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDB33N25TM Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
UniFET™
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
250 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
33A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
94mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2135 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
235W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-263 (D2PAK)
Package / Kaso
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Numero ng Produkto
FDB33N25
Datasheet at Dokumento
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
2156-FDB33N25TM-OS
FDB33N25TMDKR
FAIFSCFDB33N25TM
FDB33N25TMCT
FDB33N25TMTR
Standard na Pakete
800
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IPB17N25S3100ATMA1
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
1583
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IPB17N25S3100ATMA1-DG
YUNIT PRESYO
0.89
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
