FDB6021P

Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FDB6021P

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FDB6021P-DG

Paglalarawan:

MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB

Detalyadong Paglalarawan:

P-Channel 20 V 28A (Ta) 37W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Imbentaryo:

RFQ Online

12932222

Humiling ng Presyo

Dami
Minimum 1

(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras

IPASA

FDB6021P Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

Tagagawa

onsemi

Pagbabalot

-

Serye

PowerTrench®

Katayuan ng Produkto

Obsolete

Uri ng FET

P-Channel

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)

20 V

Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C

28A (Ta)

Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)

1.8V, 4.5V

Rds Sa (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 14A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±8V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1890 pF @ 10 V

Tampok sa FET

-

Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)

37W (Tc)

Temperatura ng Pagpapatakbo

-65°C ~ 175°C (TJ)

Uri ng Pag mount

Surface Mount

Pakete ng Kagamitan sa Supplier

TO-263 (D2PAK)

Package / Kaso

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Base Numero ng Produkto

FDB602

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete

800

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)

1 (Unlimited)

Katayuan ng REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertipikasyon

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kaugnay na mga Produkto

renesas-electronics-america

2SK3326(9)AZ

DISCRETE / POWER MOSFET

harris-corporation

IRFU221

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

2SK2114-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

IRFS254BFP001

N-CHANNEL POWER MOSFET