Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDB6670AL
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDB6670AL-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 30 V 80A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Imbentaryo:
12847382
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDB6670AL Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
PowerTrench®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
30 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
80A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
4.5V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2440 pF @ 15 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
68W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-65°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-263 (D2PAK)
Package / Kaso
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Numero ng Produkto
FDB667
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
800
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
PSMN4R3-30BL,118
TAGAPAGGAWA
Nexperia USA Inc.
DAMI NA BUMILI
9945
DiGi BAHAGI NG NUMERO
PSMN4R3-30BL,118-DG
YUNIT PRESYO
0.58
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
PSMN017-30BL,118
TAGAPAGGAWA
Nexperia USA Inc.
DAMI NA BUMILI
1868
DiGi BAHAGI NG NUMERO
PSMN017-30BL,118-DG
YUNIT PRESYO
0.37
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
IPI057N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
FQB5N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
NVMFS5C410NLT1G
MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
