Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDB86102LZ
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDB86102LZ-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Imbentaryo:
800 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12836983
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDB86102LZ Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
PowerTrench®
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
100 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
8.3A (Ta), 30A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
4.5V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1275 pF @ 50 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
3.1W (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-263 (D2PAK)
Package / Kaso
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Numero ng Produkto
FDB86102
Datasheet at Dokumento
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FDB86102LZTR
FDB86102LZDKR
2156-FDB86102LZ-OS
FDB86102LZCT
ONSFSCFDB86102LZ
FDB86102LZ-DG
Standard na Pakete
800
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
2SJ661-DL-E
MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD
FDZ193P
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
HUFA75639S3ST
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
