Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDB86135
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDB86135-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 2.4W (Ta), 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Imbentaryo:
1600 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12850037
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDB86135 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
PowerTrench®
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
100 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
75A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7295 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.4W (Ta), 227W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-263 (D2PAK)
Package / Kaso
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Numero ng Produkto
FDB861
Datasheet at Dokumento
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FDB86135TR
FDB86135-DG
FDB86135DKR
FDB86135CT
Standard na Pakete
800
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
AO4454
MOSFET N-CH 100V 6.5A 8SOIC
FDD6672A
MOSFET N-CH 30V 65A TO252
FQA10N60C
MOSFET N-CH 600V 10A TO3P
