Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDC2612_F095
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDC2612_F095-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 200 V 1.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Imbentaryo:
12839325
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDC2612_F095 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
PowerTrench®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
200 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
725mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
234 pF @ 100 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
1.6W (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
SuperSOT™-6
Package / Kaso
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Base Numero ng Produkto
FDC2612
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
3,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
FDC2612
TAGAPAGGAWA
onsemi
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
FDC2612-DG
YUNIT PRESYO
0.22
URI ng Palitan
Parametric Equivalent
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDT86246L
MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
FDD86369-F085
MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
FDMS7560S
MOSFET N-CH 25V 30A/49A 8PQFN
