Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDC3535
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDC3535-DG
Paglalarawan:
MOSFET P-CH 80V 2.1A SUPERSOT6
Detalyadong Paglalarawan:
P-Channel 80 V 2.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Imbentaryo:
12846224
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDC3535 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
PowerTrench®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
P-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
80 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
2.1A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
4.5V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
183mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
880 pF @ 40 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
1.6W (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
SuperSOT™-6
Package / Kaso
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Base Numero ng Produkto
FDC3535
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
2832-FDC3535
FDC3535DKR
FDC3535TR
FDC3535CT
Standard na Pakete
3,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
SI3129DV-T1-GE3
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
SI3129DV-T1-GE3-DG
YUNIT PRESYO
0.20
URI ng Palitan
Direct
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
AOTF27S60L
MOSFET N-CH 600V 27A TO220-3F
FCH47N60-F133
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
AOTF472
MOSFET N-CH 75V 10A/53A TO220FL
