Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDC6302P
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDC6302P-DG
Paglalarawan:
MOSFET 2P-CH 25V 0.120A SSOT6
Detalyadong Paglalarawan:
Mosfet Array 25V 120mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Imbentaryo:
12836886
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDC6302P Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET na mga Hanay
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Pag-configure
2 P-Channel (Dual)
Tampok sa FET
Logic Level Gate
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
25V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
120mA
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.31nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11pF @ 10V
kapangyarihan - Max
700mW
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Package / Kaso
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
SuperSOT™-6
Base Numero ng Produkto
FDC6302
Datasheet at Dokumento
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FDC6302PDKR
2832-FDC6302PTR
FDC6302P-DG
FDC6302PCT
FDC6302PTR
Standard na Pakete
3,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
NTJD4152PT1G
TAGAPAGGAWA
onsemi
DAMI NA BUMILI
15411
DiGi BAHAGI NG NUMERO
NTJD4152PT1G-DG
YUNIT PRESYO
0.10
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDMS1D2N03DSD
MOSFET 2N-CH 30V 19A/70A 8PQFN
FDMS3604AS
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
FDS6984S
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
