Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FDC8602

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FDC8602-DG

Paglalarawan:

MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6

Detalyadong Paglalarawan:

Mosfet Array 100V 1.2A 690mW Surface Mount SuperSOT™-6

Imbentaryo:

16909 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock

12838654

Humiling ng Presyo

Dami
Minimum 1

(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras

IPASA

FDC8602 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET na mga Hanay

Tagagawa

onsemi

Pagbabalot

Tape & Reel (TR)

Serye

PowerTrench®

Katayuan ng Produkto

Active

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Pag-configure

2 N-Channel (Dual)

Tampok sa FET

-

Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)

100V

Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C

1.2A

Rds Sa (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 50V

kapangyarihan - Max

690mW

Temperatura ng Pagpapatakbo

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag mount

Surface Mount

Package / Kaso

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pakete ng Kagamitan sa Supplier

SuperSOT™-6

Base Numero ng Produkto

FDC8602

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Mga Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan

FDC8602CT

FDC8602TR

2156-FDC8602-488

FDC8602DKR

Standard na Pakete

3,000

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS

ROHS3 Compliant

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)

1 (Unlimited)

Katayuan ng REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Sertipikasyon

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kaugnay na mga Produkto

EFC6604R-TR

MOSFET 2N-CH 6EFCP

onsemi

FDR8305N

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SUPERSOT-8

FDC6310P

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6

onsemi

ECH8653-TL-H

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8ECH