Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDD2612
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDD2612-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 200 V 4.9A (Ta) 42W (Ta) Surface Mount TO-252AA
Imbentaryo:
12930600
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDD2612 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
PowerTrench®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
200 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
720mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
234 pF @ 100 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
42W (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-252AA
Package / Kaso
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Numero ng Produkto
FDD261
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
2,500
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STD5N20LT4
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
20061
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STD5N20LT4-DG
YUNIT PRESYO
0.37
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
ZXMN20B28KTC
TAGAPAGGAWA
Diodes Incorporated
DAMI NA BUMILI
3100
DiGi BAHAGI NG NUMERO
ZXMN20B28KTC-DG
YUNIT PRESYO
0.23
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FCP104N60F
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
NTMFS4825NFET1G
MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
FQPF2NA90
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220F
