Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDD86367
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDD86367-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Imbentaryo:
40875 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12838752
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDD86367 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
PowerTrench®
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
80 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4840 pF @ 40 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
227W (Tj)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Kwalipikasyon
AEC-Q101
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-252 (DPAK)
Package / Kaso
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Numero ng Produkto
FDD863
Datasheet at Dokumento
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FDD86367-DG
FDD86367OSCT
FDD86367OSDKR
FDD86367OSTR
Standard na Pakete
2,500
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
HUFA76443S3S
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
HUF75645S3ST
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
FQP24N08
MOSFET N-CH 80V 24A TO220-3