Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDD8778
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDD8778-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Imbentaryo:
12847328
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDD8778 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
PowerTrench®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
25 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
35A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
4.5V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
845 pF @ 13 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
39W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-252AA
Package / Kaso
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Numero ng Produkto
FDD877
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FDD8778CT
FDD8778TR
FDD8778DKR
2156-FDD8778-OS
Standard na Pakete
2,500
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IPD135N03LGATMA1
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
31780
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IPD135N03LGATMA1-DG
YUNIT PRESYO
0.26
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
BSD314SPEL6327HTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
AOD4128
MOSFET N-CH 25V 60A TO252
FQD10N20LTM
MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
