Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDFMA2P857
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDFMA2P857-DG
Paglalarawan:
MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
Detalyadong Paglalarawan:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Imbentaryo:
12840043
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDFMA2P857 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
PowerTrench®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
P-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
20 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
3A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
1.8V, 4.5V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
435 pF @ 10 V
Tampok sa FET
Schottky Diode (Isolated)
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
1.4W (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
6-MicroFET (2x2)
Package / Kaso
6-VDFN Exposed Pad
Base Numero ng Produkto
FDFMA2
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FDFMA2P857CT
FDFMA2P857TR
FDFMA2P857DKR
Standard na Pakete
3,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
NTHD3101FT1G
TAGAPAGGAWA
onsemi
DAMI NA BUMILI
3000
DiGi BAHAGI NG NUMERO
NTHD3101FT1G-DG
YUNIT PRESYO
0.45
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
NTMSD6N303R2
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
FCP20N60_G
MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
FDMS86202ET120
MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
