Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDFS2P102
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDFS2P102-DG
Paglalarawan:
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
Detalyadong Paglalarawan:
P-Channel 20 V 3.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Imbentaryo:
12846459
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDFS2P102 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
P-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
20 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
3.3A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
4.5V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
270 pF @ 10 V
Tampok sa FET
Schottky Diode (Isolated)
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
900mW (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
8-SOIC
Package / Kaso
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Numero ng Produkto
FDFS2
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FDFS2P102_NLCT-DG
FDFS2P102_NLCT
FDFS2P102_NLTR-DG
FDFS2P102TR-NDR
FDFS2P102_NLTR
FDFS2P102CT
FDFS2P102CT-NDR
FDFS2P102_NL
FDFS2P102TR
FDFS2P102DKR
Standard na Pakete
2,500
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDS6675
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
FDMC4436BZ
MOSFET P-CH
AOWF4N60
MOSFET N-CH 600V 4A TO262F
