Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDG314P
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDG314P-DG
Paglalarawan:
MOSFET P-CH 25V 650MA SC88
Detalyadong Paglalarawan:
P-Channel 25 V 650mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Imbentaryo:
12848108
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDG314P Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
P-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
25 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
650mA (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
2.7V, 4.5V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
63 pF @ 10 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
750mW (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
SC-88 (SC-70-6)
Package / Kaso
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Base Numero ng Produkto
FDG314
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
3,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
NTJS4151PT1G
TAGAPAGGAWA
onsemi
DAMI NA BUMILI
10423
DiGi BAHAGI NG NUMERO
NTJS4151PT1G-DG
YUNIT PRESYO
0.08
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
CPH6350-TL-W
MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH
FDZ294N
MOSFET N-CH 20V 6A 9BGA
AOT42S60L
MOSFET N-CH 600V 37A TO220
