Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FDMS3602S-P

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FDMS3602S-P-DG

Paglalarawan:

MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN

Detalyadong Paglalarawan:

Mosfet Array 25V 15A (Ta), 30A (Tc), 26A (Ta), 40A (Tc) 2.2W (Ta), 2.5W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Imbentaryo:

RFQ Online

12787810

Humiling ng Presyo

Dami
Minimum 1

(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras

IPASA

FDMS3602S-P Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET na mga Hanay

Tagagawa

onsemi

Pagbabalot

-

Serye

-

Katayuan ng Produkto

Obsolete

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Pag-configure

2 N-Channel

Tampok sa FET

Standard

Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)

25V

Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C

15A (Ta), 30A (Tc), 26A (Ta), 40A (Tc)

Rds Sa (Max) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA, 3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V, 64nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 13V, 4120pF @ 13V

kapangyarihan - Max

2.2W (Ta), 2.5W (Ta)

Temperatura ng Pagpapatakbo

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag mount

Surface Mount

Package / Kaso

8-PowerTDFN

Pakete ng Kagamitan sa Supplier

8-PQFN (5x6)

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan

2832-FDMS3602S-P

488-FDMS3602S-P

Standard na Pakete

1

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertipikasyon

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kaugnay na mga Produkto

goford-semiconductor

G120N03D32

MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN

WI62195

GANFET 2P-CH 750V 9A 14QFN

rohm-semi

HT8KE5TB1

MOSFET 2N-CH 100V 2.5A/7A 8HSMT

rohm-semi

HP8KE7TB1

MOSFET 2N-CH 100V 10A/24A 8HSOP