Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDMS3660AS
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDMS3660AS-DG
Paglalarawan:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
Detalyadong Paglalarawan:
Mosfet Array 30V 13A, 30A 1W Surface Mount Power56
Imbentaryo:
12839805
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDMS3660AS Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET na mga Hanay
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
PowerTrench®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Pag-configure
2 N-Channel (Dual)
Tampok sa FET
Logic Level Gate
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
30V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
13A, 30A
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2230pF @ 15V
kapangyarihan - Max
1W
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Package / Kaso
8-PowerTDFN
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
Power56
Base Numero ng Produkto
FDMS3660
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FDMS3660ASDKR
FDMS3660ASCT
2832-FDMS3660ASTR
FDMS3660ASTR
Standard na Pakete
3,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
NTMFD4C20NT1G
TAGAPAGGAWA
onsemi
DAMI NA BUMILI
3
DiGi BAHAGI NG NUMERO
NTMFD4C20NT1G-DG
YUNIT PRESYO
1.94
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDME1023PZT
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
EFC6618R-A-TF
MOSFET 2N-CH EFCP
ECH8619-TL-E
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8ECH
