Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDMS4435BZ
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDMS4435BZ-DG
Paglalarawan:
MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Detalyadong Paglalarawan:
P-Channel 30 V 9A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Imbentaryo:
13546 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12847956
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
c5pV
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDMS4435BZ Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
PowerTrench®
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
P-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
30 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
9A (Ta), 18A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
4.5V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2050 pF @ 15 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.5W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
8-PQFN (5x6)
Package / Kaso
8-PowerTDFN
Base Numero ng Produkto
FDMS4435
Datasheet at Dokumento
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
ONSFSCFDMS4435BZ
FDMS4435BZTR
2156-FDMS4435BZ-OS
FDMS4435BZCT
FDMS4435BZDKR
FDMS4435BZ-DG
Standard na Pakete
3,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
AO4728
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
IPB60R380C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
FQA5N90
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO3P
