Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDMS4D0N12C
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDMS4D0N12C-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 120 V 18.5A (Ta), 114A (Tc) 2.7W (Ta), 106W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Imbentaryo:
4063 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12847102
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDMS4D0N12C Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
PowerTrench®
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
120 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
18.5A (Ta), 114A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
6V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 370A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6460 pF @ 60 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.7W (Ta), 106W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
8-PQFN (5x6)
Package / Kaso
8-PowerTDFN
Base Numero ng Produkto
FDMS4
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FDMS4D0N12COSDKR
FDMS4D0N12C-DG
FDMS4D0N12COSTR
FDMS4D0N12COSCT
Standard na Pakete
3,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
HUFA75339S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
AON2407
MOSFET P-CH 30V 6.3A 6DFN
NTD4858N-35G
MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
