FDN5630-G
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FDN5630-G

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FDN5630-G-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Imbentaryo:

RFQ Online
12972180
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

FDN5630-G Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
PowerTrench®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
60 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
6V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
560 pF @ 15 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
500mW (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
SOT-23-3
Package / Kaso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan
488-FDN5630-GTR
Standard na Pakete
3,000

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
OBSOLETE

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
FDN5630
TAGAPAGGAWA
onsemi
DAMI NA BUMILI
5620
DiGi BAHAGI NG NUMERO
FDN5630-DG
YUNIT PRESYO
0.09
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Kaugnay na mga Produkto
panjit

PJQ5444-AU_R2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD25N03_L2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD1NA60A_R2_00001

600V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJD13N10A_L2_00001

100V N-CHANNEL MOSFET