Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDP100N10
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDP100N10-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
Imbentaryo:
690 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12837206
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDP100N10 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tube
Serye
PowerTrench®
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
100 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
75A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7300 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
208W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
FDP100
Datasheet at Dokumento
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FAIFSCFDP100N10
2156-FDP100N10-OS
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDS3680
MOSFET N-CH 100V 5.2A 8SOIC
FDP10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
ATP304-TL-H
MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
