FDP2D9N12C

Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FDP2D9N12C

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FDP2D9N12C-DG

Paglalarawan:

PTNG 120V N-FET TO220

Detalyadong Paglalarawan:

N-Channel 120 V 18A (Ta), 210A (Tc) 2.4W (Ta), 333W (Tc) Through Hole TO-220

Imbentaryo:

RFQ Online

12839564

Humiling ng Presyo

Dami
Minimum 1

(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras

IPASA

FDP2D9N12C Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

Tagagawa

onsemi

Pagbabalot

-

Serye

PowerTrench®

Katayuan ng Produkto

Obsolete

Uri ng FET

N-Channel

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)

120 V

Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C

18A (Ta), 210A (Tc)

Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)

6V, 10V

Rds Sa (Max) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 686µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

109 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

8894 pF @ 60 V

Tampok sa FET

-

Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)

2.4W (Ta), 333W (Tc)

Temperatura ng Pagpapatakbo

-55°C ~ 175°C (TJ)

Uri ng Pag mount

Through Hole

Pakete ng Kagamitan sa Supplier

TO-220

Package / Kaso

TO-220-3

Base Numero ng Produkto

FDP2

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Mga Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete

800

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS

ROHS3 Compliant

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)

Not Applicable

Katayuan ng REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertipikasyon

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kaugnay na mga Produkto

onsemi

FQP22N30

MOSFET N-CH 300V 21A TO220-3

onsemi

FDMS0310AS

MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN

onsemi

FDD5N50UTF_WS

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

infineon-technologies

BSP324 E6327

MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4