Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDS3890
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDS3890-DG
Paglalarawan:
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Detalyadong Paglalarawan:
Mosfet Array 80V 4.7A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Imbentaryo:
12848943
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDS3890 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET na mga Hanay
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
PowerTrench®
Katayuan ng Produkto
Active
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Pag-configure
2 N-Channel (Dual)
Tampok sa FET
Logic Level Gate
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
80V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
4.7A
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1180pF @ 40V
kapangyarihan - Max
900mW
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Package / Kaso
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
8-SOIC
Base Numero ng Produkto
FDS38
Datasheet at Dokumento
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FDS3890CT
FDS3890DKR
FDS3890-DG
FDS3890TR
Standard na Pakete
2,500
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRF7380TRPBF
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
7278
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRF7380TRPBF-DG
YUNIT PRESYO
0.39
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
DMN6040SSD-13
TAGAPAGGAWA
Diodes Incorporated
DAMI NA BUMILI
12745
DiGi BAHAGI NG NUMERO
DMN6040SSD-13-DG
YUNIT PRESYO
0.15
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
NVMFD5873NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
AO4862E
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
NDS9945
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
