Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDS5672_F095
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDS5672_F095-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Imbentaryo:
12837048
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDS5672_F095 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
PowerTrench®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
60 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
6V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.5W (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
8-SOIC
Package / Kaso
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Numero ng Produkto
FDS56
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
2,500
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
SQ4470EY-T1_GE3
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
975
DiGi BAHAGI NG NUMERO
SQ4470EY-T1_GE3-DG
YUNIT PRESYO
0.55
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
FDS5672
TAGAPAGGAWA
onsemi
DAMI NA BUMILI
5013
DiGi BAHAGI NG NUMERO
FDS5672-DG
YUNIT PRESYO
0.64
URI ng Palitan
Parametric Equivalent
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FQA7N90
MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P
FQD5N50CTM
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
FDZ661PZ
MOSFET P-CH 20V 2.6A 4WLCSP
