Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDS6900AS-G
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDS6900AS-G-DG
Paglalarawan:
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Detalyadong Paglalarawan:
Mosfet Array 30V 6.9A, 8.2A 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Imbentaryo:
12959306
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDS6900AS-G Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET na mga Hanay
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
PowerTrench®, SyncFET™
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Pag-configure
2 N-Channel (Dual)
Tampok sa FET
Logic Level Gate
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
30V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
6.9A, 8.2A
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 15V
kapangyarihan - Max
900mW (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Package / Kaso
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
8-SOIC
Base Numero ng Produkto
FDS69
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
488-FDS6900AS-GTR
2832-FDS6900AS-GTR
2832-FDS6900AS-G-488
Standard na Pakete
2,500
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
SI7972DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
SI6968BEDQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
SI4946CDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.2A/6.1A 8SO
