Bahay
Mga Produkto
Mga Tagagawa
Tungkol sa DiGi
Makipag-ugnayan sa Amin
Mga Blog at Post
RFQ/Sipi
Filipino
Mag-sign in
Piling Wika
Kasalukuyang wika ng iyong pinili:
Filipino
Palitan:
English
Europa
Reyno Unido
Pransiya
Espanya
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Alemanya
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Taga ruso
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Griyego
Croatia
Ang Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asya / Pasipiko
Tsina
Ang Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos na ba
Pilipino
Malaysia
Korea
Hapon
HongKong
TaiWan
Ang Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Aprika,India at Gitnang Silangan
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
Timog Aprika
Ehipto
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
Timog Amerika / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Hilagang Amerika
Estados Unidos
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Tungkol sa DiGi
Tungkol Sa Amin
Tungkol Sa Amin
Ang Aming Mga Sertipikasyon
Panimula
Bakit DiGi
Patakaran
Patakaran sa Kalidad
Mga Tuntunin ng Paggamit
Pagsunod sa RoHS
Proseso ng Pagbabalik
Mga Yaman
Mga Kategorya ng Produkto
Mga Tagagawa
Mga Blog at Post
Mga Serbisyo
Garantiya ng Kalidad
Paraan ng Pagbabayad
Pandaigdigang Padala
Mga Bayarin sa Pagpapadala
Mga Madalas Itanong
Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDS86140
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDS86140-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 100 V 11.2A (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Imbentaryo:
RFQ Online
12839677
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
*
Kumpanya
*
Pangalan ng Contact
*
Telepono
*
E-mail
Address ng Paghahatid
Mensahe
(
*
) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDS86140 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
PowerTrench®
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
100 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
11.2A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
6V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2580 pF @ 50 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
8-SOIC
Package / Kaso
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Numero ng Produkto
FDS86
Datasheet at Dokumento
Datasheet
FDS86140
Mga Datasheet
FDS86140
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FDS86140-DG
FDS86140TR
2156-FDS86140-488
FDS86140CT
FDS86140DKR
Standard na Pakete
2,500
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRF7854TRPBF
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
16813
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRF7854TRPBF-DG
YUNIT PRESYO
0.62
URI ng Palitan
Direct
BILANG NG BAHAGI
IRF7493TRPBF
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
4688
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRF7493TRPBF-DG
YUNIT PRESYO
0.57
URI ng Palitan
Direct
BILANG NG BAHAGI
RS6P100BHTB1
TAGAPAGGAWA
Rohm Semiconductor
DAMI NA BUMILI
2725
DiGi BAHAGI NG NUMERO
RS6P100BHTB1-DG
YUNIT PRESYO
1.35
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IRF7853TRPBF
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
11350
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRF7853TRPBF-DG
YUNIT PRESYO
0.49
URI ng Palitan
Direct
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDB9406-F085
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
HUF76439P3
MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
FQPF34N20
MOSFET N-CH 200V 17.5A TO220F
NVMFS5C423NLAFT1G
MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN