Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDU6N25
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDU6N25-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Imbentaryo:
12850989
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDU6N25 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
UniFET™
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
250 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
50W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
I-PAK
Package / Kaso
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Base Numero ng Produkto
FDU6
Datasheet at Dokumento
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FDU6N25OS
2156-FDU6N25-OS
FDU6N25-DG
ONSONSFDU6N25
Standard na Pakete
70
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRFU224PBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRFU224PBF-DG
YUNIT PRESYO
0.53
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDPF2D3N10C
MOSFET N-CH 100V 222A TO220F
FDD26AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
IPP057N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
