Bahay
Mga Produkto
Mga Tagagawa
Tungkol sa DiGi
Makipag-ugnayan sa Amin
Mga Blog at Post
RFQ/Sipi
Filipino
Mag-sign in
Piling Wika
Kasalukuyang wika ng iyong pinili:
Filipino
Palitan:
English
Europa
Reyno Unido
Pransiya
Espanya
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Alemanya
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Taga ruso
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Griyego
Croatia
Ang Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asya / Pasipiko
Tsina
Ang Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos na ba
Pilipino
Malaysia
Korea
Hapon
HongKong
TaiWan
Ang Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Aprika,India at Gitnang Silangan
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
Timog Aprika
Ehipto
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
Timog Amerika / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Hilagang Amerika
Estados Unidos
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Tungkol sa DiGi
Tungkol Sa Amin
Tungkol Sa Amin
Ang Aming Mga Sertipikasyon
Panimula
Bakit DiGi
Patakaran
Patakaran sa Kalidad
Mga Tuntunin ng Paggamit
Pagsunod sa RoHS
Proseso ng Pagbabalik
Mga Yaman
Mga Kategorya ng Produkto
Mga Tagagawa
Mga Blog at Post
Mga Serbisyo
Garantiya ng Kalidad
Paraan ng Pagbabayad
Pandaigdigang Padala
Mga Bayarin sa Pagpapadala
Mga Madalas Itanong
Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDU7N60NZTU
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDU7N60NZTU-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK
Imbentaryo:
RFQ Online
12848999
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
*
Kumpanya
*
Pangalan ng Contact
*
Telepono
*
E-mail
Address ng Paghahatid
Mensahe
(
*
) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDU7N60NZTU Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
UniFET-II™
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.25Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
730 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
90W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
I-PAK
Package / Kaso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Numero ng Produkto
FDU7
Datasheet at Dokumento
Datasheet
FDU7N60NZTU
Mga Datasheet
FDD7N60NZ, FDU7N60NZTU
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
2156-FDU7N60NZTU-OS
ONSFSCFDU7N60NZTU
Standard na Pakete
5,040
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STU6N62K3
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
5990
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STU6N62K3-DG
YUNIT PRESYO
0.74
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IPU80R900P7AKMA1
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
1500
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IPU80R900P7AKMA1-DG
YUNIT PRESYO
0.47
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STU7N60M2
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
3000
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STU7N60M2-DG
YUNIT PRESYO
0.49
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STU6N60M2
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
4
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STU6N60M2-DG
YUNIT PRESYO
0.46
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
NTMFS5C670NLT3G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
FQD17P06TM
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
FDN352AP
MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
FQP58N08
MOSFET N-CH 80V 57.5A TO220-3