Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FDZ3N513ZT
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FDZ3N513ZT-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.96x0.96)
Imbentaryo:
12838288
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FDZ3N513ZT Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
30 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
3.2V, 4.5V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
462mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+5.5V, -0.3V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
85 pF @ 15 V
Tampok sa FET
Schottky Diode (Body)
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
1W (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 125°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
4-WLCSP (0.96x0.96)
Package / Kaso
4-UFBGA, WLCSP
Base Numero ng Produkto
FDZ3N
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FDZ3N513ZTCT
FDZ3N513ZTDKR
FDZ3N513ZTTR
Standard na Pakete
3,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
SI8808DB-T2-E1
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
8727
DiGi BAHAGI NG NUMERO
SI8808DB-T2-E1-DG
YUNIT PRESYO
0.11
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDP023N08B-F102
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
HUFA75343P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
FQD4P40TF
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
