FQA10N80C-F109
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FQA10N80C-F109

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FQA10N80C-F109-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P

Imbentaryo:

12838452
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

FQA10N80C-F109 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
800 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
10A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
240W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-3P
Package / Kaso
TO-3P-3, SC-65-3
Base Numero ng Produkto
FQA10

Datasheet at Dokumento

Datasheet
Mga Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan
ONSONSFQA10N80C-F109
FQA10N80C_F109FS-DG
FQA10N80C_F109
FQA10N80C_F109-DG
FQA10N80CF109
2156-FQA10N80C-F109-OS
FQA10N80C_F109FS
Standard na Pakete
30

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
infineon-technologies

BSC0996NSATMA1

MOSFET N-CH 34V 13A TDSON-8-5

onsemi

HUFA76419D3

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

onsemi

FDMS86580-F085

MOSFET N-CH 60V 50A POWER56

onsemi

FQU10N20LTU

MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK