Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQA11N90C
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQA11N90C-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 900 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Imbentaryo:
12848305
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQA11N90C Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
900 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3290 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
300W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-3P
Package / Kaso
TO-3P-3, SC-65-3
Base Numero ng Produkto
FQA1
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FQA11N90CFSINACTIVE
FQA11N90CFS
FQA11N90CFS-DG
Q2658628A
Standard na Pakete
30
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STW7NK90Z
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
86
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STW7NK90Z-DG
YUNIT PRESYO
1.75
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IRFPF50PBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
466
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRFPF50PBF-DG
YUNIT PRESYO
3.01
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
RFP4N100
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO220-3
AOI1N60L
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
FDMS86163P
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
