Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQA160N08
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQA160N08-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 80V 160A TO3PN
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 80 V 160A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-3PN
Imbentaryo:
12848034
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQA160N08 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
80 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
160A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
290 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7900 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
375W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-3PN
Package / Kaso
TO-3P-3, SC-65-3
Base Numero ng Produkto
FQA160
Datasheet at Dokumento
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FQA160N08-DG
2156-FQA160N08-488
FQA160N08OS
Standard na Pakete
30
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRFP2907PBF
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
2867
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRFP2907PBF-DG
YUNIT PRESYO
2.55
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IXTQ180N10T
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXTQ180N10T-DG
YUNIT PRESYO
2.90
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
AO4447AL
MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
FCH104N60F
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
FDS8672S
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
