Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQA33N10
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQA33N10-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 100 V 36A (Tc) 163W (Tc) Through Hole TO-3P
Imbentaryo:
12847159
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQA33N10 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
100 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
36A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
163W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-3P
Package / Kaso
TO-3P-3, SC-65-3
Base Numero ng Produkto
FQA3
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
450
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
2SK1317-E
TAGAPAGGAWA
Renesas Electronics Corporation
DAMI NA BUMILI
5608
DiGi BAHAGI NG NUMERO
2SK1317-E-DG
YUNIT PRESYO
3.29
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDMC86240
MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
FDP047N08
MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
FDMC2610
MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
