FQA33N10
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FQA33N10

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FQA33N10-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 100 V 36A (Tc) 163W (Tc) Through Hole TO-3P

Imbentaryo:

12847159
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

FQA33N10 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
100 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
36A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
163W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-3P
Package / Kaso
TO-3P-3, SC-65-3
Base Numero ng Produkto
FQA3

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete
450

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
2SK1317-E
TAGAPAGGAWA
Renesas Electronics Corporation
DAMI NA BUMILI
5608
DiGi BAHAGI NG NUMERO
2SK1317-E-DG
YUNIT PRESYO
3.29
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
onsemi

FDMC86240

MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP

onsemi

FDP047N08

MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3

onsemi

FDMC2610

MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP

onsemi

NTGS3433T1G

MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP