Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQA65N06
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQA65N06-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 60V 72A TO3P
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 60 V 72A (Tc) 183W (Tc) Through Hole TO-3P
Imbentaryo:
12838163
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQA65N06 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
60 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
72A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2410 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
183W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-3P
Package / Kaso
TO-3P-3, SC-65-3
Base Numero ng Produkto
FQA6
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
30
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
2SK1317-E
TAGAPAGGAWA
Renesas Electronics Corporation
DAMI NA BUMILI
5608
DiGi BAHAGI NG NUMERO
2SK1317-E-DG
YUNIT PRESYO
3.29
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDMC7570S
MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
FQPF13N50CSDTU
MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
FDS6688
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
