FQA6N80
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FQA6N80

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FQA6N80-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 800 V 6.3A (Tc) 185W (Tc) Through Hole TO-3P

Imbentaryo:

12836737
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

FQA6N80 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
800 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.95Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
185W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-3P
Package / Kaso
TO-3P-3, SC-65-3
Base Numero ng Produkto
FQA6

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete
30

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
onsemi

FDS6575

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

onsemi

FDS6680S

MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC

onsemi

CPH3456-TL-W

MOSFET N-CH 20V 3.5A 3CPH

onsemi

FDMS8888

MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN