Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQAF13N80
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQAF13N80-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Imbentaryo:
12850433
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQAF13N80 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
800 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
120W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-3PF
Package / Kaso
TO-3P-3 Full Pack
Base Numero ng Produkto
FQAF13
Datasheet at Dokumento
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
2156-FQAF13N80-OS
ONSONSFQAF13N80
Standard na Pakete
30
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STW10NK80Z
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
39
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STW10NK80Z-DG
YUNIT PRESYO
2.27
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDMC510P-F106
MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8WDFN
FQD7P06TM_NB82050
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
FDG332PZ
MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88
