FQB12P10TM
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FQB12P10TM

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FQB12P10TM-DG

Paglalarawan:

MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
P-Channel 100 V 11.5A (Tc) 3.75W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Imbentaryo:

12838538
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

FQB12P10TM Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
P-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
100 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 5.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
3.75W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-263 (D2PAK)
Package / Kaso
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Numero ng Produkto
FQB1

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete
800

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
IRF5210STRLPBF
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
7933
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRF5210STRLPBF-DG
YUNIT PRESYO
1.26
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
onsemi

IRFS350A

MOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PF

infineon-technologies

AUIRFR6215

MOSFET P-CH 150V 13A DPAK

onsemi

FQU5N50CTU-WS

MOSFET N-CH 500V 4A IPAK

onsemi

FDD86326

MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK