FQB19N20TM
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FQB19N20TM

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FQB19N20TM-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 200 V 19.4A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Imbentaryo:

2296 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12848453
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

FQB19N20TM Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
200 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
19.4A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-263 (D2PAK)
Package / Kaso
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Numero ng Produkto
FQB19N20

Datasheet at Dokumento

Datasheet
Mga Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan
FQB19N20TM-DG
FQB19N20TMCT
FQB19N20TMTR
FQB19N20TMDKR
Standard na Pakete
800

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
alpha-and-omega-semiconductor

AOW2918

MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO262

onsemi

FDMS7660

MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN

onsemi

NVMFS6B14NLT3G

MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN

onsemi

FDB8445

MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB