Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQB3N25TM
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQB3N25TM-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 250 V 2.8A (Tc) 3.13W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Imbentaryo:
12840333
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQB3N25TM Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
250 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
170 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
3.13W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-263 (D2PAK)
Package / Kaso
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Numero ng Produkto
FQB3
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
800
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRF540NSTRLPBF
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
7309
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRF540NSTRLPBF-DG
YUNIT PRESYO
0.52
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDD6685
MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252
2SK354700L
MOSFET N-CH 50V 100MA SSSMINI3
BSZ067N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
