Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQB4P25TM
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQB4P25TM-DG
Paglalarawan:
MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
P-Channel 250 V 4A (Tc) 3.13W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Imbentaryo:
12836098
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQB4P25TM Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
P-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
250 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
4A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
2.1Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
420 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
3.13W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-263 (D2PAK)
Package / Kaso
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Numero ng Produkto
FQB4
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
800
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRF5210STRLPBF
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
7933
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRF5210STRLPBF-DG
YUNIT PRESYO
1.26
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
AUIRFS3006-7P
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
FQD7P06TM
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
FDN340P
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
