FQB6N60CTM
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FQB6N60CTM

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FQB6N60CTM-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Imbentaryo:

12848047
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

FQB6N60CTM Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
810 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
125W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-263 (D2PAK)
Package / Kaso
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Numero ng Produkto
FQB6

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete
800

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
STB4NK60ZT4
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
4369
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STB4NK60ZT4-DG
YUNIT PRESYO
0.77
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
onsemi

FDS3692

MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC

onsemi

FDMC2674

MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

onsemi

FQP55N06

MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3

onsemi

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4